Лазарева Полина Игоревна (ФГАОУ ВО «Первый МГМУ им. И.М. Сеченова» Минздрава России (Сеченовский университет) (г. Москва))
Трапезникова Екатерина Сергеевна (ФГАОУ ВО «Первый МГМУ им. И.М. Сеченова» Минздрава России (Сеченовский университет) (г. Москва))
Ступин Виктор Александрович (Д.м.н., профессор, ФГБАУ ВО «РНИМУ им. Н.И. Пирогова» Минздрава России (г. Москва))
Силина Екатерина Владимировна (Д.м.н., профессор, ФГАОУ ВО «Первый МГМУ им. И.М. Сеченова» Минздрава России (Сеченовский университет) (г. Москва))
| |
Псориаз является одной из самых распространенных аутоиммунных заболеваний, поражающее в основном кожу. В представленном обзоре мировой литературы обсуждается роль резидентных Т-клеток памяти (сокр. TRM, от англ. tissue-residentmemory T-cells) в патогенетических путях развития бляшечного псориаза, и потенциальные успехи в поиске нового эффективного и безопасного метода его лечения или усовершенствования уже имеющихся способов терапии. TRM представляют собой пул нециркулирующих лимфоцитов, способных неопределенно долго находиться в периферических тканях, в том числе в коже при псориазе. Они могут вызывать адаптивный иммунный ответ и, как следствие, развитие псориатического воспаления. TRM являются источниками IL-17 и IL-22 – цитокинов, ведущих к развитию и поддержанию псориатического воспаления. Было доказано, что TRM присутствуют и функционируют в пораженных псориазом участках кожи даже после полной ремиссии заболевания. Однако на сегодняшний день нет препаратов, полностью ингибирующих патологическую активность TRM, что предположительно является основной причиной рецидивирования псориаза после терапии.
Ключевые слова:резидентные Т-клетки памяти, TRM, лимфоциты, цитокины, псориаз, кожа.
|
|
| |
|
Читать полный текст статьи …
|
Ссылка для цитирования:
Лазарева П. И., Трапезникова Е. С., Ступин В. А., Силина Е. В. Резидентные т-клетки памяти: роль в патогенезе псориаза и новые возможности в терапии // Современная наука: актуальные проблемы теории и практики. Серия: Естественные и Технические Науки. -2022. -№08. -С. 201-205 DOI 10.37882/2223-2966.2022.08.24 |
|
|
